快科技8月24日消息，美光HBM设计架构研究员拉古·斯里拉马内尼在8月23日斯坦福大学举办的Hot Chips 2026半导体会议上发出警告，内存墙问题依然存在，且形势正在进一步恶化。
所谓内存墙，指的是GPU性能持续攀升，但用于存储数据的高带宽内存却难以跟上其速度，由此形成的性能瓶颈。
会议展示的最新HBM封装技术中，两颗GPU与八颗12层HBM4被集成在一起，其中约90%的半导体面积被存储部分占据，存储面积达到GPU面积的8倍以上。芯片内部空间几乎全部被存储所占用，这正是以面积换取带宽所付出的代价，也直观反映出内存墙问题日益加剧的现状。
拉古指出，AI加速器的计算性能每两年增长约3倍，而同期HBM的发展速度却不到每两年2倍。这解释了为何高带宽内存始终难以满足GPU的需求——无论计算设备运行多快，狭窄的数据通道最终都会因供给速度过慢而陷入停滞。
在硬件层面，当前制造相同存储容量的HBM所消耗的晶圆数量，大约是普通DDR5的3倍。拉古强调，技术升级越快，芯片尺寸越大、堆叠层数越多，这一差距还在持续扩大，内存行业将长期面临供应紧张的局面。
散热方面，HBM采用多层堆叠结构，底层产生的热量最多，但热量必须穿透所有堆叠层才能抵达顶部的冷却系统，这导致散热效率显著降低，液冷和芯片超薄技术正在为这一问题提供解决途径。
拉古表示，HBM所面临的挑战需要内存厂商、GPU设计商、代工厂以及封装厂商通力合作，方能找到破解之道。
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